Транзистор КТ в Москве
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Конструктор не сложного в сборке Усилителя на транзисторах TIP120 и TIP125 и ОУ TL081. количество в упаковке: 1шт. напряжение: 15 тип: плата SMD-корпус: да
Транзисторы 2Т371А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях сверхвысоких частот. Выпускаются в металлостеклокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. На крышке корпуса...
TIP120 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6044G схема 2SD2495-P характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP120 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В...
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ817Г: • Структура транзистора:...
TIP120 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6044G схема 2SD2495-P характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP120 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В...
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В...
Биполярный транзистор, характеристики NF/S-L, 120V, 10A, 80W, B=55-160
Биполярный транзистор, характеристики NPN-Транзистор, U=500В, I=7A, Р=50Вт
-
-
-
Транзисторы КТ960А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100.400 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом...
Транзисторы 2Т363А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом...
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип...
Транзисторы СВЧ 2Т920Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50.200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом...
Транзисторы 2Т504Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами....
Транзисторы 2Т316Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В). Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка...
Транзисторы 2Т933А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на...
Транзисторы СВЧ 2Т919А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7.2,4 ГГц в схеме с общей базой. Выпускаются в...
Транзисторы СВЧ 2Т922Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в...
Транзисторы 2Т505Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах. 2Т505А, 2Т505Б, 2Т505В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами....
Транзисторы 2Т825А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами....
Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V...
Транзисторы 2П307А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным...
Транзисторы 2Т830Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p, переключательные. Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на...
Транзисторы 2П303А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б,...
Транзисторы 2Т3108А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для применения в логарифмических видеоусилителях и линейных усилителях высокой частоты. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе...
Транзисторы СВЧ КТ911А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 300 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в...
Транзисторы 2Т950Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Транзистор 2Т950А предназначен для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 30.80 МГц при напряжении питания 28 В, 2Т950Б - в...
Транзисторы 2Т841Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами....
Транзисторы 2Т3108В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для применения в логарифмических видеоусилителях и линейных усилителях высокой частоты. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы КТ399АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей...
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением....
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы КТ819В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются...
Транзисторы 2Т608А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса...
Транзисторы 2Т316Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В). Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка...
Транзисторы продаются комплектом по 2 штуки. Транзисторы 2Т826А кремниевые меза-планарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Транзисторы 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ972А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматии. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются...
Транзисторы 2Т3108Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для применения в логарифмических видеоусилителях и линейных усилителях высокой частоты. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе...
Транзисторы 2Т908А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным...
Транзисторы продаются комплектом по 2 штуки. Транзисторы 2Т803А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе...
Транзисторы 2Т382А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот. Выпускаются в...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ502Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях. Выпускаются в...
Транзистор 2Т949А биполярный кремниевый NPN-типа используются в усилителях мощности, умножителях частот и автогенерирующих схемах до 270MHz. Производятся в керамометаллическом корпусе. Марка триода наносится на керамической части корпуса. Зарубежный аналог: 2N5643
Транзисторы 2Т203Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса...
Транзисторы 2Т841А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами....
Транзисторы 2П902А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в приемопередающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами...
Транзистор 2Т867А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n высоковольтный, переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, во вторичных источниках электропитания. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы КТ606А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении...
Транзисторы КТ957А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5.30 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми...
Транзисторы 2Т881А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах. Транзисторы 2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами....
Транзисторы 2Т117Г кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора...
Транзисторы 2Т907А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100.400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе...
Транзисторы 2Т610Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные, усилительные. Предназначены для применения в усилителях напряжения и мощности. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора....
Транзисторы 2Т827В кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты...
Транзисторы КП813А кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания, частотно-регулируемых источниках электропитания, индукционных печах. Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе...
Транзисторы 2Т836Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания. Транзисторы 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В, 2Т836Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами...
Транзисторы 2Т603Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора...
Транзисторы 2Т313Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе...
Транзисторы КТ603Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы 2Т844А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими...