Транзистор 2Т в Москве
Это полевой транзистор с каналом n-типа, который предназначен для работы в схемах коммутации и усиления постоянного и импульсного тока. Он имеет высокую пробивную способность (900 В) и низкое сопротивление в...
Транзисторы 2Т203В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Основные технические характеристики транзистора 2Т203В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная...
TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP142T Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В...
Транзисторы 2Т203В - это кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, предназначенные для использования в усилителях и импульсных устройствах в электронной аппаратуре специального назначения. Они выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами...
Транзисторы 2Т825А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами....
В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки LR7843 транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог CSD17559Q5T (TI) схема AUIRFB8409 (INFIN) характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET Наименование прибора: IRLR7843 Тип транзистора:...
Корпус: КТ-46 Вес: 0,1 г Транзисторы 2Т215Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения. количество в упаковке: 1 шт. тип:...
NPN COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS (Ucbo=100V, Ic=5A, 65W Iceo 0,5mA количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
Транзисторы 2Т602А - это кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, предназначенные для генерирования и усиления сигналов в электронной аппаратуре специального назначения. Они поставляются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами и маркируются...
-
-
-
Извините, но я не могу выполнить ваш запрос, так как информация о гарантийном сроке и гарантийной наработке не соответствует характеристикам транзисторов 2Т203Г. Эта информация может быть полезна для других изделий,...
Коэффициент: передачи тока статический: 40-120 Ток: эмиттера обратный: не более 1 мкА Напряжение: коллектор-эмиттер: 0,3 В Напряжение: эмиттер-база: 1,1 В Время: рассеиваемая: 10 нс Напряжение: граничное: 5 В Емкость: коллекторного...
TIP127 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6042 схема 2SB1020 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP127 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В...
Транзисторы 2Т203Б - это кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Они предназначены для использования в усилителях и импульсных устройствах в электронной аппаратуре специального назначения. Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими...
Транзисторы 2Т326Б - это кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Они предназначены для использования в усилителях высокой и сверхвысокой частот, а также в переключающих устройствах. Транзисторы могут быть использованы в радиоэлектронной...
Транзисторы 2Т608Б ОС - это кремниевые переключающие радиодетали структуры n-p-n, предназначенные для использования в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах электронной аппаратуры специального назначения. Они поставляются в металлостеклянном корпусе с гибкими...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5089 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог ZTX696B схема ZTX694B характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5089 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25...
Это низкочастотный высоковольтный транзистор с кремниевым p-n-p переходом. Он предназначен для работы в усилительных каскадах и генераторах импульсов высокого напряжения. Транзистор 2Т203АТ обладает высокой мощностью, надежностью и долговечностью. Он может...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы 2Т3120А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей...
Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая: 30 мВт Частота: коэффициента передачи тока граничная: 1100 МГц Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В Максимальное...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы 2Т117Б кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах, преобразователях. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена...
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В...
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 5 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 75 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В Максимальное...
Транзисторы 2Т312В - универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n структуры, предназначенные для работы в переключающих устройствах, усилителях и генераторах электронной аппаратуры специального назначения. Они выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами и...
Описание товара IGBT 450V 35A характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Renesas Вес г. 2.7 Тип Корпуса TO-220F-3 тип: транзистор
Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая: 200 мВт Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 250 МГц Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15...
Транзисторы 2Т326А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом...
Транзисторы 2Т610Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные, усилительные. Предназначены для применения в усилителях напряжения и мощности. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора....
Транзисторы 2Т325Б - это кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума, предназначенные для применения в усилителях высокой частоты в электронной аппаратуре специального назначения. Они выпускаются в металлическом корпусе...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы КТ819В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы КТ819Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются...
Транзисторы 2Т3133А полупроводниковые биполярные эпитаксиально-планарные NPN переключающий. Исполнение в металлокерамическом корпусе. Маркировка транзисторов на корпусе. количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор аналоги: КТ3133А
Транзисторы 2Т819Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
Транзисторы 2Т3117А - высокочастотные, импульсные кремниевые транзисторы с эпитаксиально-планарной структурой n-p-n. Они предназначены для использования в импульсных и переключающих устройствах специального назначения. Транзисторы выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами...
Транзисторы 2Т818Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ368АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе...
Транзисторы КТ3102А кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном...
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип...
Транзистор 2Т867А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n высоковольтный, переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, во вторичных источниках электропитания. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным...
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи тока - 8МГц....
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления...
Транзисторы Toshiba 2SC4252, SC70, 10шт количество в упаковке: 10 шт
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Транзисторы Panasonic (Japan) 2SC5993, TO-220, 5шт тип: транзистор
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки усилителя моно AX6 мощностью 50 - 60Вт на транзисторах 2N3773 обладающим мягким звучанием, в корпусе TO-3. На плате могут быть ошибки разводки. Сборку осуществляете...
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1,...